0.8 Sơ lược về ic  (Page 2/3)

SSI: Small scale integration: Tích hợp qui mô nhỏ

MSI: Medium scale intergration: Tích hợp qui mô trung bình

LSI: Large scale integration: Tích hợp theo qui mô lớn

GSI: Ultra large scale integration: Tích hợp qui mô khổng lồ

Tóm lại, công nhệ IC đưa đến những điểm lợi so với kỹ thuật linh kiện rời như sau:

- Giá thành sản phẩm hạ

- Kích cỡ nhỏ

- Độ khả tín cao (tất cả các thành phần được chế tạo cùng lúc và không có những điểm hàn, nối).

- Tăng chất lượng (do giá thành hạ, các mặt phức tạp hơn có thể được chọn để hệ thống đạt đến những tính năng tốt nhất).

- Các linh kiện được phối hợp tốt (matched). Vì tất cả các transistor được chế tạo đồng thời và cùng một qui trình nên các thông số tương ứng của chúng về cơ bản có cùng độ lớn đối với sự biến thiên của nhiệt độ.

- Tuổi thọ cao.

Các loại ic.

Dựa trên qui trình sản xuất, có thể chia IC ra làm 3 loại:

Ic màng (film ic):

Trên một đế bằng chất cách điện, dùng các lớp màng tạo nên các thành phần khác. Loại này chỉ gồm các thành phần thụ động như điện trở, tụ điện, và cuộn cảm mà thôi.

• Dây nối giữa các bộ phận: Dùng màng kim loại có điện trở súât nhỏ như Au, Al,Cu...
• Điện trở: Dùng màng kim loại hoặc hợp kim có điện trở suất lớn như Ni-Cr; Ni-Cr-Al; Cr-Si; Cr có thể tạo nên điện trở có trị số rất lớn.
• Tụ điện: Dùng màng kim loại để đóng vai trò bản cực và dùng màng điện môi SiO; SiO2, Al2O3; Ta2O5. Tuy nhiên khó tạo được tụ có điện dung lớn hơn 0,02F/cm2.
• Cuộn cảm: dùng một màng kim loại hình xoắn. Tuy nhiên khó tạo được cuộn cảm lớn quá 5H với kích thước hợplý. Trong sơ đồ IC, người ta tránh dùng cuộn cảm để không chiếm thể tích.
• Cách điện giữa các bộ phận: Dùng SiO; SiO2; Al2O3.

Có một thời, Transistor màng mỏng được nghiên cứu rất nhiều để ứng dụng vào IC màng. Nhưng tiếc là transistor màng chưa đạt đến giai đoận thực dụng, nếu không phải là ít có triển vọng thực dụng.

Ic đơn tính thể (monolithic ic):

Còn gọi là IC bán dẫn (Semiconductor IC) – là IC dùng một đế (Subtrate) bằng chất bán dẫn (thường là Si). Trên (hay trong) đế đó, người ta chế tạo transistor, diode, điện trở, tụ điện. Rồi dùng chất cách điện SiO2 để phủ lên che chở cho các bộ phận đó trên lớp SiO2, dùng màng kim loại để nối các bộ phận với nhau.

• Transistor, diode đều là các bộ phận bán dẫn.
• Điện trở: được chế tạo bằng cách lợi dụng điện trở của lớp bán dẫn có khuếch tán tạp chất.
• Tụ điện: Được chế tạo bằng cách lợi dụng điện dung của vùng hiếm tại một nối P-N bị phân cực nghịch.

Đôi khi người ta có thể thêm những thành phần khác hơn của các thành phần kể trên để dùng cho các mục đích đặc thù

Các thành phần trên được chế tạo thành một số rất nhiều trên cùng một chip. Có rất nhiều mối nối giữa chúng và chúng được cách ly nhờ những nối P-N bị phân cực nghịch (điện trở có hàng trăm M)

Ic lai (hibrid ic).

Là loại IC lai giữa hai loại trên

Từ vi mạch màng mỏng (chỉ chứa các thành phần thụ động), người ta gắn ngay trên đế của nó những thành phần tích cực (transistor, diode) tại những nơi đã dành sẵn. Các transistor và diode gắn trong mạch lai không cần có vỏ hay để riêng, mà chỉ cần được bảo vệ bằng một lớp men tráng.